الترانزستور عصب الاتصالات

موضوع: الترانزستور عصب الاتصالات 2008-04-20, 7:16 pm

الترانزيستور

تعريف الترانزيستور :
بلورة من مادة شبه موصل مطعمة بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب بينما المنطقتان الخارجيتان من نوعية مخالفة.

تعريف آخر :
وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع .

يوجد نوعان من الترانزيستور هما :

PNP : فيه القاعدة من النوع السالب بينما الباعث والمجمع من النوع الموجب
NPN : فيه القاعدة من النوع الموجب بينما الباعث والمجمع من النوع السالب

الرسم الرمزي للترانزيستور :
يبين الشكل أعلاه الرسم الرمزي لكل نوع من الترانزيستور ، ويلاحظ أن اتجاه السهم يدل على اتجاه التيار ( وهو عكس اتجاه حركة الالكترونات )

تركيب الترانزيستور من النوع NPN :

الباعث Emitter : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات .

القاعدة Base : بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات .

المجمع Collector : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات .

يتركب الترانزيستور من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر ، وصلة بين الباعث والقاعدة ووصلة بين القاعدة والمجمع .

يسمى الترانزيستور بالوصلة ذات القطبية الثنائية BJT : لأنه يتركب من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر Bipolar junction transistor

يفضل الترانزيستور المصنوع من السيلكون للأسباب التالية :

لأن السيليكون يتحمل درجات حرارة عالية تصل الى 175 م
السيليكون أسهل في تصنيعه من الجرمانيوم
السيلكون أرخص ثمنا حيث أنه ثاني أكثر العناصر انتشارا في الطبيعة

كيفية عمل الترانزيستور NPN ؟؟

أولا : توصل القاعدة والباعث بجهد ثابت توصيلا أماميا ( جهد الانحياز الأمامي ) وبالتالي يكون حاجز الجهد بين المنطقتين صغيرا جدا وعلى ذلك تكون مقاومة وصلة الباعث - القاعدة صغيرة .

ثانيا : يوصل المجمع والقاعدة بجهد ثابت توصيلا خلفيا ( جهد الانحياز العكسي ) وبالتالي تكون مقاومة وصلة المجمع - القاعدة عالية .
نلاحظ أن القاعدة تكون موجبة بالنسبة للباعث ويكون المجمع موجبا بالنسبة للقاعدة .

ثالثا : بما أن القاعدة تحتوي على عدد قليل من الشوائب اذا عدد الفجوات بها يكون منخفضا وبالتالي يكون عدد الالكترونات التي يملأ هذه الفجوات منخفضا .

رابعا : تمر معظم الالكترونات من الباعث الى المجمع عبر القاعدة ولا يمر في القاعدة الا عدد قليل من الالكترونات .

خامسا : بتطبيق قانون كيرشوف على الترانزيستور يكون :

شدة تيار الباعث = شدة تيار المجمع + شدة تيار القاعدة

ان شدة تيار الباعث يساوي تقريبا شدة تيار المجمع والأسباب هي :

اولا : وجود فرق جهد كبير بين المجمع والباعث ينتج مجالا كهربائيا شديدا يعمل على دفع الالكترونات باتجاه المجمع .
ثانيا كبر المساحة المتقابلة بين المجمع والباعث وصغر مساحة القاعدة يجعل الالكترونات تعبر من الباعث الى المجمع بمعدل أكبر .
ثالثا قلة عدد الشوائب في القاعدة يجعلها لا تقبل سوى عدد صغير من الالكترونات

ياقلشي
دول واجعوا دماغنا بية
السنين اللي فاتت كلها
بس واللة دي معلومات اساسية لازم نكون عارفينها
وشكرا لك
ونتمني المزيد

» لطلبه و مهندسي الاتصالات فقط
» دور الاتصالات في الحروب ( القنابل الذكيه) من فهد
» لكل محبي علم الاتصالات .. اجمل كتاب في هذا المجال
» بتروجيت على القمة بسداسية فى الجيش و الاتصالات بالمركز الثالث
» المحاضرة الثالثة للفرقة الثالثة قسم الاتصالات